| Quantity | Price |
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| 25 | 3.084 | |
| 1250 | 2.992 | |
| 2500 | 2.902 |
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| 25 | 3.084 | |
| 1250 | 2.992 | |
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| * | PMXB40UNEZ | 93156 | USD | 0.162697 | 0.153488 | 0.144800 | |||
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N 沟道 MOSFET ≤ 20 V，为您的便携式设计提供最佳开关解决方案，多种高达 20 V 的单和双 N 沟道 MOSFET 可供选择。由于我们值得信赖的 TrenchMOS 和封装技术而具有出色的可靠性。易于使用，我们的低电压 MOSFET 专门设计用于满足具有低驱动电压的便携式应用的要求。
20 V，N 沟道 Trench MOSFET，N 沟道增强型场效应晶体管 (FET) 采用无引线超小型 DFN1010D-3 (SOT1215) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。
Trench MOSFET 技术
无引线超小型和薄型 SMD 塑料封装：1.1 ´ 1.0 ´ 0.37 mm
裸露的散热垫，用于提供极佳的热传导
超低漏-源通态电阻 RDSon = 42 mΩ
1 kV ESD 保护
低侧负载开关和充电开关，用于便携式设备
电池驱动便携式设备的电源管理
LED 驱动器
直流 - 直流转换器
