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12 V,N 沟道 Trench MOSFET,N 沟道增强型场效应晶体管 (FET) 采用无引线超小型 DFN1010D-3 (SOT1215) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装,采用 Trench MOSFET 技术。

Trench MOSFET 技术
无引线超小型和薄型 SMD 塑料封装:1.1 ´ 1.0 ´ 0.37 mm
裸露的散热垫,用于提供极佳的热传导
静电放电 (ESD) 保护 1 kV
超低漏-源导通电阻 RDSon = 34 mΩ
超低阈值电压:0.65 V,用于便携式应用
低侧负载开关和充电开关,用于便携式设备
电池驱动便携式设备的电源管理
LED 驱动器
直流 - 直流转换器

Nexperia
Nexperia NMOS, MOSFET, Vds=12 V, DFN1010D-3, SOT1215封装, 3.2 A, 表面贴装, 4引脚