| Quantity | Price |
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|---|---|---|
| 4000 | 2.17 | |
| 8000 | 2.105 | |
| 16000 | 2.042 |
| Quantity | Price | Price Tax |
|---|---|---|
| 4000 | 2.17 | |
| 8000 | 2.105 | |
| 16000 | 2.042 |
| 1 | 10 | 100 | 1000 | 2500 | Updated | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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| * | FQT1N60CTF | 0 | |||||||
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| * | FQT1N80TF-WS | 0 |
这种 N 通道增强模式功率 MOSFET 采用 Fairchild Semiconductor 公司专有的平面条带和 DMOS 技术制造。这项 Advanced MOSFET 技术经过特别定制，可降低电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量。这些器件适用于 Switched Mode 电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。
0.2A ， 600V ， RDS （接通） =9.3 Ω （典型值） @VGS =10 V ， ID =0.1 A
低栅电荷（典型值） 4.8nc ）
低 CMSS （典型 3.5pF ）
应用
照明
