| Quantity | Price |
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|---|---|---|
| 3000 | 12.19 | |
| 6000 | 11.824 | |
| 12000 | 11.47 |
| Quantity | Price | Price Tax |
|---|---|---|
| 3000 | 12.19 | |
| 6000 | 11.824 | |
| 12000 | 11.47 |
| 1 | 10 | 100 | 1000 | 2500 | Updated | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| * | SIDR104ADP-T1-RE3 | 0 | USD | ||||||
| * | SIDR140DP-T1-RE3 | 0 | USD | ||||||
| * | SIDR170DP-T1-RE3 | 5232 | USD | 2.52 | 2.33 | 1.96 | 1.36 | ||
| * | SIDR104AEP-T1-RE3 | 30 | CNY | 17.4143 | 15.7132 | ||||
| * | SIDR170DP-T1-RE3 | 50 | CNY | 0 | |||||
| * | SIDR104AEP-T1-RE3 | 35 | |||||||
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Vishay n 沟道 25 v （ d-s ） mosfet TOP ING1 、可提供额外的热传递场所。它具有优化的 qg 、 qgd 和 qgd/qgs 比、可减少与切换相关的功率损耗。
经过 100% rg 和 uis 测试
trench场 效应第四代功率 mosfet
