SI7434DP-T1-GE3

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EM SI7434DP-T1-GE3 VISHAY SILICONIX 209 购买 19.81 ---------
DK SI7434DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 3000 购买 7.726 7.72627.72627.72627.72627.72627.72627.72627.72627.7262
DK SI7434DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 4579 购买 17.3841 8.54748.54748.54748.54748.54748.54748.54748.54748.5474
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MS SI7434DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors 无库存 购买 19.29 7.77.77.77.77.77.77.77.77.7

产品说明SI7434DP-T1-GE3

  • EM

    场效应管, MOSFET, N沟道, 带二极管, 250V, 3.8A, SO8 PPAK

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  • DK

    MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

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  • DK

    MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

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  • DK

    MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

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  • MS

    MOSFET 250V 3.8A 5.2W 155mohm @ 10V

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产品参数SI7434DP-T1-GE3

  • EM

    型号:SI7434DP-T1-GE3
    品牌:VISHAY SILICONIX
    RoHS:符合RoHS
    电流, Id 连续:3.8A
    漏源电压, Vds:250V
    MSL:MSL 1 -无限制
    针脚数:8
    在电阻RDS(上):0.129ohm
    工作温度最高值:150°C
    功耗 Pd:5.2W
    电压 @ Rds测量:10V
    SVHC(高度关注物质):No SVHC (16-Jun-2014)
    阈值电压 Vgs:4V
    晶体管封装类型:PowerPAK SO
    晶体管极性:N沟道

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  • DK

    型号SI7434DP-T1-GE3
    品牌Vishay Siliconix
    FET 类型N 沟道
    技术MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss)250V
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)2.3A(Ta)
    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)50nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)-
    Vgs(最大值)±20V
    FET 功能-
    功率耗散(最大值)1.9W(Ta)
    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)155 毫欧 @ 3.8A,10V
    工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型表面贴装
    供应商器件封装PowerPAK® SO-8
    封装/外壳PowerPAK® SO-8

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  • DK

    型号SI7434DP-T1-GE3
    品牌Vishay Siliconix
    FET 类型N 沟道
    技术MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss)250V
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)2.3A(Ta)
    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)50nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)-
    Vgs(最大值)±20V
    FET 功能-
    功率耗散(最大值)1.9W(Ta)
    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)155 毫欧 @ 3.8A,10V
    工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型表面贴装
    供应商器件封装PowerPAK® SO-8
    封装/外壳PowerPAK® SO-8

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  • DK

    型号SI7434DP-T1-GE3
    品牌Vishay Siliconix
    FET 类型N 沟道
    技术MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss)250V
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)2.3A(Ta)
    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)50nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)-
    Vgs(最大值)±20V
    FET 功能-
    功率耗散(最大值)1.9W(Ta)
    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)155 毫欧 @ 3.8A,10V
    工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型表面贴装
    供应商器件封装PowerPAK® SO-8
    封装/外壳PowerPAK® SO-8

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  • MS

    型号:SI7434DP-T1-GE3
    品牌:Vishay Semiconductors
    RoHS:符合RoHS
    商标:Vishay Semiconductors
    Id-连续漏极电流:2.3 A
    Vds-漏源极击穿电压:250 V
    Rds On-漏源导通电阻:155 mOhms
    晶体管极性:N-Channel
    Vgs-栅源极击穿电压 :20 V
    最大工作温度:+ 150 C
    Pd-功率耗散:1.9 W
    安装风格:SMD/SMT
    封装 / 箱体:PowerPAK SO-8
    封装:Reel
    通道模式:Enhancement
    配置:Single
    下降时间:23 ns
    最小工作温度:- 55 C
    上升时间:23 ns
    系列:SI74xxDx
    工厂包装数量:3000
    典型关闭延迟时间:47 ns
    零件号别名:SI7434DP-GE3

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