SI7421DN-T1-GE3

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EM SI7421DN-T1-GE3 VISHAY SILICONIX 2203 购买 4.3 ---------
DK SI7421DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 15 购买 4.0157 4.01574.01574.01574.01574.01574.01574.01574.01574.0157
MS SI7421DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors 无库存 购买 4.54 4.544.544.544.544.544.544.543.423.42

产品说明SI7421DN-T1-GE3

  • EM

    场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 9.8A, POWERPAK

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  • DK

    MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK 1212-8

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  • MS

    MOSFET 30V 9.8A 3.6W 25mohm @ 10V

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产品参数SI7421DN-T1-GE3

  • EM

    型号:SI7421DN-T1-GE3
    品牌:VISHAY SILICONIX
    RoHS:符合RoHS
    电流, Id 连续:-9.8A
    在电阻RDS(上):43mohm
    SVHC(高度关注物质):To Be Advised
    阈值电压 Vgs:-3V
    晶体管封装类型:PowerPAK 1212

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  • DK

    型号SI7421DN-T1-GE3
    品牌Vishay Siliconix
    FET 类型P 沟道
    技术MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss)30V
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)6.4A(Ta)
    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)40nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)-
    Vgs(最大值)±20V
    FET 功能-
    功率耗散(最大值)1.5W(Ta)
    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)25 毫欧 @ 9.8A,10V
    工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型表面贴装
    供应商器件封装PowerPAK® 1212-8
    封装/外壳PowerPAK® 1212-8

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  • MS

    型号:SI7421DN-T1-GE3
    品牌:Vishay Semiconductors
    RoHS:RoHS不可用
    商标:Vishay Semiconductors
    Id-连续漏极电流:6.4 A
    Vds-漏源极击穿电压:- 30 V
    Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms
    晶体管极性:P-Channel
    Vgs-栅源极击穿电压 :20 V
    最大工作温度:+ 150 C
    Pd-功率耗散:1.5 W
    安装风格:SMD/SMT
    封装 / 箱体:PowerPAK 1212-8
    封装:Reel
    配置:Single
    最小工作温度:- 55 C
    系列:SI74xxDx
    工厂包装数量:3000
    零件号别名:SI7421DN-GE3

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