| Quantity | Price |
|
|---|---|---|
| 1 | 18.59 | |
| 5 | 18.13 | |
| 10 | 17.68 | |
| 20 | 17.24 | |
| 40 | 16.81 |
| Quantity | Price | Price Tax |
|---|---|---|
| 1 | 18.59 | |
| 5 | 18.13 | |
| 10 | 17.68 | |
| 20 | 17.24 | |
| 40 | 16.81 |
增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
在半自动模式下， MOSFET 器件的组合相当庞大，包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)在半 MOSFET 上，可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
