| 1 | 10 | 100 | 1000 | 2500 | Updated | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| * | FQD2N80TM | 0 | CNY | 4.294 | |||||
| * | FQD2N100TM | 20 | CNY | 3.48396 | 3.33248 | ||||
| * | FQD2N60CTF_F080 | 7280 | USD | ||||||
| * | FQD2N80TM_WS | 2864 | USD | ||||||
| * | FQD2N90TF | 93768 | USD | ||||||
| * | FQD2N80TF | 16800 | USD | ||||||
| * | FQD2N100TF | 5520 | USD | ||||||
| * | FQD2N60TF | 2976 | USD | ||||||
| * | FQD2N60TM | 6384 | USD | ||||||
| * | FQD2N50TF | 12252 | USD | ||||||
| * | FQD2N50TM | 240000 | USD | ||||||
| * | FQD2N60CTF | 30552 | USD | ||||||
| * | FQD2N30TM | 3344 | USD | ||||||
| * | FQD2N40TM | 42000 | USD | ||||||
| * | FQD2N40TF | 4144 | USD | ||||||
| * | FQD2N80TM | 41136 | USD | ||||||
| * | FQD2N60CTM_WS | 4112 | USD | ||||||
| * | FQD2N90TM | 120000 | USD | ||||||
| * | FQD2N60CTM | 286656 | USD | ||||||
| * | FQD2N100TM | 140364 | USD | ||||||
| * | FQD2N90TM | 1 | USD | ||||||
| * | FQD2N80TM | 7500 | |||||||
| * | FQD2N90TM | 4 | |||||||
| * | FQD2N60CTM | 0 | |||||||
| * | FQD2N60CTM-WS | 0 | |||||||
| * | FQD2N100TM | 0 | |||||||
| * | FQD2N40TF | 0 | |||||||
| * | FQD2N40TM | 0 | |||||||
| * | FQD2N30TM | 0 | |||||||
| * | FQD2N60CTF | 0 | |||||||
| * | FQD2N50TM | 0 | |||||||
| * | FQD2N50TF | 0 | |||||||
| * | FQD2N60TM | 0 | |||||||
| * | FQD2N60TF | 0 | |||||||
| * | FQD2N100TF | 0 | |||||||
| * | FQD2N80TF | 0 | |||||||
| * | FQD2N90TF | 0 | |||||||
| * | FQD2N80TM_WS | 0 | |||||||
| * | FQD2N60CTF_F080 | 0 | |||||||
| * | FQD2N60CTM | 0 | CNY | 5.0139 | |||||
| * | FQD2N80TM | 0 | CNY | 4.4767 | |||||
| * | FQD2N90TM | 0 | CNY | 5.5154 | |||||
| * | FQD2N100TM | 0 | USD | ||||||
| * | FQD2N100TM | 166736 | USD | ||||||
| * | FQD2N60CTM-WS | 5808 | USD | ||||||
| * | FQD2N80TM | 1 | USD | 1.403280 | 1.323849 | 1.248914 | |||
| * | FQD2N60CTM | 3590 | USD | 0.792360 | 0.747509 | 0.705198 | |||
| * | FQD2N60CTF | 4209 | USD | 0.297529 | 0.280688 | 0.264800 | |||
| * | FQD2N50TF | 55 | USD | 8.063371 | 7.606953 | 7.176371 |
Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
在半自动模式下， MOSFET 器件的组合相当庞大，包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)在半 MOSFET 上，可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
