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* FM25V20-DG 5568 USD
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* FM25V20-GTR 94416 USD
* FM25V20-DGTR 6320 USD
* FM25V02-GTR 2374884 USD
* FM25V02-DGTR 6272 USD
* FM25V01-GTR 175056 USD
* FM25V20-G 8772 USD
* FM25V02-G 71520 USD
* FM25V01-G 12144 USD
* FM25V20A-DGTR 6816 USD
* FM25V20A-DGQTR 4320 USD
* FM25V10-PG 3840 USD
* FM25VN10-GTR 3568 USD
* FM25V02A-DGQ 2720 USD
* FM25V02A-DGTR 2304 USD
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* FM25V20A-GTR 43296 USD
* FM25V10-GTR 530352 USD
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* FM25V01A-GTR 300984 USD
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F-RAM,Cypress Semiconductor

铁电随机存储器 (F-RAM) 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。

非易失性铁电 RAM 存储器
快写入速度
高耐受性
低功耗

2-Mbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM) ,按逻辑组织为 256K ´ 8
高耐久性 100 万亿( 1014 )读 / 写
151 年数据保留(请参阅数据保留和寿命表)
NoDelay ™写入
Advanced High - Reliability FerroElectric
非常快的 SPI
频率高达 40MHz
直接硬件更换,用于串行闪存和 EEPROM
支持 SPI 模式 0 ( 0 , 0 )和模式 3 ( 1 , 1 )
完善的写保护方案
使用写保护 (WP) PIN 进行硬件保护
使用写禁用指令进行软件保护
1/4 , 1/2 或整个阵列的软件块保护
设备 ID
制造商 ID 和产品 ID
低功耗
300 μ A 工作电流, 1MHz
100 μ A (典型)待机电流
3 μ A 睡眠模式电流
低电压操作: VDD = 2.0 V 至 3.6 V
工业温度: -40 ° C 至 +85 ° C
软件包
8 引脚小型集成电路 (SOIC) 封装
8 引脚双扁平无引线 (DFN) 封装

FRAM(铁电 RAM)

FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。

Cypress Semiconductor
Cypress Semiconductor 铁电存储器(FRAM), 2Mbit, SPI接口, DFN封装, 最大工作电源电压 3.6 V, 256K字组, 8引脚, 8Bit, 256K x 8 位