1 | 10 | 100 | 1000 | 2500 | Updated | ||||
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* | FM25V20-PG | 28668 | USD | ||||||
* | FM25V20-DG | 5568 | USD | ||||||
* | FM25V02-DG | 19620 | USD | ||||||
* | FM25V20-GTR | 94416 | USD | ||||||
* | FM25V20-DGTR | 6320 | USD | ||||||
* | FM25V02-GTR | 2374884 | USD | ||||||
* | FM25V02-DGTR | 6272 | USD | ||||||
* | FM25V01-GTR | 175056 | USD | ||||||
* | FM25V20-G | 8772 | USD | ||||||
* | FM25V02-G | 71520 | USD | ||||||
* | FM25V01-G | 12144 | USD | ||||||
* | FM25V20A-DGTR | 6816 | USD | ||||||
* | FM25V20A-DGQTR | 4320 | USD | ||||||
* | FM25V10-PG | 3840 | USD | ||||||
* | FM25VN10-GTR | 3568 | USD | ||||||
* | FM25V02A-DGQ | 2720 | USD | ||||||
* | FM25V02A-DGTR | 2304 | USD | ||||||
* | FM25V02A-DGQTR | 7312 | USD | ||||||
* | FM25V02A-GTR | 0 | CNY | 25.42500 | 20.34000 | 18.30600 | |||
* | FM25V20A-GTR | 43296 | USD | ||||||
* | FM25V10-GTR | 530352 | USD | ||||||
* | FM25V05-GTR | 1033932 | USD | ||||||
* | FM25V01A-GTR | 300984 | USD | ||||||
* | FM25V10-G | 0 | CNY | ||||||
* | FM25V20A-G | 0 | CNY | ||||||
* | FM25V05-G | 0 | CNY | ||||||
* | FM25V01A-G | 0 | CNY | ||||||
* | FM25VN10-G | 0 | CNY | 126.05 | |||||
* | FM25V02A-G | 0 | CNY | ||||||
* | FM25V02A-DGQ | 0 | CNY | ||||||
* | FM25V02A-DG | 0 | CNY | ||||||
* | FM25V20A-DGQ | 0 | CNY | ||||||
* | FM25V02A-DG | 10932 | USD | ||||||
* | FM25V01A-G | 28758 | USD | ||||||
* | FM25V20A-G | 2100 | USD | ||||||
* | FM25V20A-DGQ | 18996 | USD | ||||||
* | FM25V05-G | 25896 | USD | ||||||
* | FM25V20A-DG | 18960 | USD | ||||||
* | FM25VN10-G | 18888 | USD | ||||||
* | FM25V10-G | 21348 | USD | ||||||
* | FM25V02A-G | 24942 | USD | ||||||
* | FM25V02A-GTR | 92892 | USD | ||||||
* | FM25V20A-PG | 7512 | USD | ||||||
* | FM25V05-GTR | 0 | USD | ||||||
* | FM25V10-GTR | 0 | USD | ||||||
* | FM25V02A-GTR | 0 | USD | ||||||
* | FM25VN05-G | 0 | USD | ||||||
* | FM25V02A-GTR | 1 | USD | ||||||
* | FM25VN10-G | 1 | USD |
铁电随机存储器 (F-RAM) 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。
非易失性铁电 RAM 存储器
快写入速度
高耐受性
低功耗
2-Mbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM) ,按逻辑组织为 256K ´ 8
高耐久性 100 万亿( 1014 )读 / 写
151 年数据保留(请参阅数据保留和寿命表)
NoDelay ™写入
Advanced High - Reliability FerroElectric
非常快的 SPI
频率高达 40MHz
直接硬件更换,用于串行闪存和 EEPROM
支持 SPI 模式 0 ( 0 , 0 )和模式 3 ( 1 , 1 )
完善的写保护方案
使用写保护 (WP) PIN 进行硬件保护
使用写禁用指令进行软件保护
1/4 , 1/2 或整个阵列的软件块保护
设备 ID
制造商 ID 和产品 ID
低功耗
300 μ A 工作电流, 1MHz
100 μ A (典型)待机电流
3 μ A 睡眠模式电流
低电压操作: VDD = 2.0 V 至 3.6 V
工业温度: -40 ° C 至 +85 ° C
软件包
8 引脚小型集成电路 (SOIC) 封装
8 引脚双扁平无引线 (DFN) 封装
FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。