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F-RAM,Cypress Semiconductor

铁电随机存储器 (F-RAM) 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM,用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用,且符合 AEC-Q100 标准。

非易失性铁电 RAM 存储器
快写入速度
高耐受性
低功耗

FRAM(铁电 RAM)

FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。

Cypress Semiconductor
Cypress Semiconductor 铁电存储器(FRAM), 256Kbit, 并行接口, SOIC封装, 最大工作电源电压 5.5 V, 32k字组, 28引脚, 8Bit, 32k x 8 位