• API
  • 中文

0

Quantity Price
100 1.347
800 1.307
1500 1.268

1 10 100 1000 2500 Updated
* BSS138P,215 0 CNY
* BSS138LT3G 0 CNY
* BSS138LT1G 0 CNY
* BSS138NH6433XTMA1 0 CNY 1.16
* BSS138NH6327XTSA2 0 CNY
* BSS138DW-7-F 0 CNY
* BSS138TA 0 CNY
* BSS138-7-F 0 CNY 0.832
* BSS138W-7-F 0 CNY
* BSS138PW,115 0 CNY
* BSS138 0 CNY
* BSS138PS,115 0 CNY
* BSS131H6327XTSA1 0 CNY 1.983
* BSS138BKW,115 0 CNY
* BSS138WH6433XTMA1 0 CNY 1.092
* BSS139H6327XTSA1 0 CNY
* BSS138BK,215 0 CNY 2.332 2.161
* BSS138K 0 CNY 1.353
* BSS138IXTSA1 0 CNY
* BSS138AKAR 0 CNY 1.244
* BSS138BKS,115 0 CNY
* BSS138L 0 CNY
* BSS139IXTSA1 0 CNY
* BSS138 1719 CNY 0.09450 0.07560 0.06804
* BSS138P,215 769 CNY 0.30135 0.24108 0.21698
* BSS138W-7-F 编带 5 CNY 0.27403
* BSS138BK,215 606 CNY 0.43692 0.40332
* BSS138-7-F 0 CNY 0.11931 0.09545 0.08590
* BSS138PS,115 261 CNY 0.50999 0.47599 0.40799
* BSS138DW-7-F 7 CNY 0.35765
* BSS138W-7-F 13536 CNY 0.27962 0.26097 0.22369
* BSS138K 2 CNY 2.26763
* BSS138LT1G 0 CNY 0.33000 0.30800 0.26400
* BSS138BKS,115 0 CNY
* BSS138PW,115 0 CNY
* BSS138BKSH 0 CNY
* BSS138DW-7 5664 USD
* BSS138DWQ-7 6624 USD
* BSS138DWQ-13 4992 USD
* BSS138BKS,115 248130 USD
* BSS138PS,115 46020 USD
* BSS139L6906HTSA1 7328 USD
* BSS138W L6327 3056 USD
* BSS138NL6433HTMA1 4432 USD
* BSS139L6327HTSA1 2528 USD
* BSS138W L6433 3840 USD
* BSS131L6327HTSA1 4272 USD
* BSS138W E6327 2384 USD
* BSS138NL6327HTSA1 4640 USD

增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor

增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。

半导体 MOSFET 晶体管,半

在半自动模式下, MOSFET 器件的组合相当庞大,包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)在半 MOSFET 上,可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。

onsemi
onsemi NMOS, MOSFET, Vds=50 V, SOT-323 (SC-70)封装, 210 mA, 表面贴装, 3引脚, Si晶体管