SI7445DP-T1-GE3

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EM SI7445DP-T1-GE3 VISHAY SILICONIX - 购买 20.1 ---------
DK SI7445DP-T1-GE3 Vishay Siliconix - 购买 - ---------

产品说明SI7445DP-T1-GE3

  • EM

    场效应管, MOSFET, P沟道, -12A, -20V, 1.9W

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  • DK

    MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8

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产品参数SI7445DP-T1-GE3

  • EM

    型号:SI7445DP-T1-GE3
    品牌:VISHAY SILICONIX
    RoHS:符合RoHS
    电流, Id 连续:-12A
    漏源电压, Vds:-20V
    MSL:MSL 1 - Unlimited
    工作温度最高值:150°C
    SVHC(高度关注物质):To Be Advised
    晶体管封装类型:PowerPAK SO

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  • DK

    型号SI7445DP-T1-GE3
    品牌Vishay Siliconix
    FET 类型P 沟道
    技术MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss)20V
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)12A(Ta)
    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)140nC @ 5V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)-
    Vgs(最大值)±8V
    FET 功能-
    功率耗散(最大值)1.9W(Ta)
    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)7.7 毫欧 @ 19A,4.5V
    工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型表面贴装
    供应商器件封装PowerPAK® 1212-8
    封装/外壳PowerPAK® 1212-8

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图片SI7445DP-T1-GE3

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