SI7431DP-T1-E3

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FT SI7431DP-T1-E3 VISHAY - 购买 14.48 14.4814.4814.4814.4814.4814.4814.4814.4814.48
EM SI7431DP-T1-E3 VISHAY SILICONIX 2946 购买 26.44 ---------
DK SI7431DP-T1-E3 Vishay Siliconix 3000 购买 13.3522 13.352313.352313.352313.352313.352313.352313.352313.352313.3523
DK SI7431DP-T1-E3 Vishay Siliconix 4431 购买 27.3799 14.476714.476714.476714.476714.476714.476714.476714.476714.4767
DK SI7431DP-T1-E3 Vishay Siliconix 4431 购买 27.3799 14.476714.476714.476714.476714.476714.476714.476714.476714.4767
MS SI7431DP-T1-E3 Vishay Semiconductors 4,659 购买 27.84 ---------

产品说明SI7431DP-T1-E3

  • FT

    单 P 沟道 200 V 0.174 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK SO-8

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  • EM

    场效应管, MOSFET, P沟道, 200V, 2.2A, POWERPAK

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  • DK

    MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8

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  • DK

    MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8

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  • DK

    MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8

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  • MS

    MOSFET 200V 3.8A 5.4W 174mohm @ 10V

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产品参数SI7431DP-T1-E3

  • FT

    Channel Type:P-Channel
    Drain-to-Source Voltage [Vdss]:200 V
    Drain-Source On Resistance-Max:0.174 Ω
    Qg Gate Charge:88 nC
    Rated Power Dissipation:1.9 W

    It has an Operating temperature ranges b/w -55 °C to 150 °C and it is available in a PowerPAK SO-8 package.

    Features:

    • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
    • TrenchFET® Power MOSFETs
    • Ultra-Low On-Resistance Critical for Application
    • Low Thermal Resistance PowerPAK® Package with Low 1.07 mm Profile
    • 100 % Rg and Avalanche Tested
    • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

    Applications:

    • Active Clamp in Intermediate DC/DC Power Supplies

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  • EM

    型号:SI7431DP-T1-E3
    品牌:VISHAY SILICONIX
    RoHS:符合RoHS
    电流, Id 连续:-2.2A
    漏源电压, Vds:-200V
    MSL:MSL 1 -无限制
    针脚数:8
    在电阻RDS(上):0.145ohm
    工作温度最高值:150°C
    功耗 Pd:1.9W
    电压 @ Rds测量:-10V
    SVHC(高度关注物质):No SVHC (16-Jun-2014)
    阈值电压 Vgs:-4V
    晶体管封装类型:PowerPAK SO
    晶体管极性:P沟道

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  • DK

    型号SI7431DP-T1-E3
    品牌Vishay Siliconix
    FET 类型P 沟道
    技术MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss)200V
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)2.2A(Ta)
    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)135nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)-
    Vgs(最大值)±20V
    FET 功能-
    功率耗散(最大值)1.9W(Ta)
    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)174 毫欧 @ 3.8A,10V
    工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型表面贴装
    供应商器件封装PowerPAK® SO-8
    封装/外壳PowerPAK® SO-8

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  • DK

    型号SI7431DP-T1-E3
    品牌Vishay Siliconix
    FET 类型P 沟道
    技术MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss)200V
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)2.2A(Ta)
    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)135nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)-
    Vgs(最大值)±20V
    FET 功能-
    功率耗散(最大值)1.9W(Ta)
    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)174 毫欧 @ 3.8A,10V
    工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型表面贴装
    供应商器件封装PowerPAK® SO-8
    封装/外壳PowerPAK® SO-8

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  • DK

    型号SI7431DP-T1-E3
    品牌Vishay Siliconix
    FET 类型P 沟道
    技术MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss)200V
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)2.2A(Ta)
    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)135nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)-
    Vgs(最大值)±20V
    FET 功能-
    功率耗散(最大值)1.9W(Ta)
    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)174 毫欧 @ 3.8A,10V
    工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型表面贴装
    供应商器件封装PowerPAK® SO-8
    封装/外壳PowerPAK® SO-8

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  • MS

    型号:SI7431DP-T1-E3
    品牌:Vishay Semiconductors
    RoHS:RoHS不可用
    商标:Vishay Semiconductors
    Id-连续漏极电流:2.2 A
    Vds-漏源极击穿电压:- 200 V
    Rds On-漏源导通电阻:174 mOhms
    晶体管极性:P-Channel
    Vgs-栅源极击穿电压 :20 V
    最大工作温度:+ 150 C
    Pd-功率耗散:1.9 W
    安装风格:SMD/SMT
    封装 / 箱体:PowerPAK SO-8
    封装:Reel
    通道模式:Enhancement
    配置:Single
    下降时间:49 ns
    最小工作温度:- 55 C
    上升时间:49 ns
    系列:SI74xxDx
    工厂包装数量:3000
    典型关闭延迟时间:110 ns
    零件号别名:SI7431DP-E3

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