SI7430DP-T1-E3

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FT SI7430DP-T1-E3 VISHAY - 购买 5.65 5.655.655.655.655.655.655.655.655.65
EM SI7430DP-T1-E3 VISHAY SILICONIX 4337 购买 18.99 ---------
DK SI7430DP-T1-E3 Vishay Siliconix 27 购买 7.3944 7.39437.39437.39437.39437.39437.39437.39437.39437.3943
DK SI7430DP-T1-E3 Vishay Siliconix 4314 购买 16.639 8.18038.18038.18038.18038.18038.18038.18038.18038.1803
DK SI7430DP-T1-E3 Vishay Siliconix 4314 购买 16.639 8.18038.18038.18038.18038.18038.18038.18038.18038.1803
MS SI7430DP-T1-E3 Vishay Semiconductors 2,675 购买 28.43 ---------

产品说明SI7430DP-T1-E3

  • FT

    单通道 N 沟道 150 V 45 mOhms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK SO-8

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  • EM

    晶体管, N沟道

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  • DK

    MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8

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  • DK

    MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8

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  • DK

    MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8

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  • MS

    MOSFET 150V 26A 64W 45mohm @ 10V

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产品参数SI7430DP-T1-E3

  • FT

    Channel Type:N-Channel
    Drain-to-Source Voltage [Vdss]:150 V
    Drain-Source On Resistance-Max:45 mΩ
    Qg Gate Charge:43 nC
    Rated Power Dissipation:64 W

    It has an Operating temperature ranges b/w -55 °C to 150 °C and it is available in a PowerPAK SO-8 package.

    Features:

    • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
    • Extremely Low Qgd for Reduced dV/dt, Qgd and Shoot-Through
    • 100 % Rg Tested
    • 100 % UIS Tested
    • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

    Applications:

    • Primary Side Switch
    • Single-Ended Power Switch

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  • EM

    型号:SI7430DP-T1-E3
    品牌:VISHAY SILICONIX
    RoHS:符合RoHS
    电流, Id 连续:26A
    MSL:MSL 1 - Unlimited
    在电阻RDS(上):45mohm
    工作温度最高值:150°C
    阈值电压 Vgs:2.5V
    晶体管封装类型:SOIC

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  • DK

    型号SI7430DP-T1-E3
    品牌Vishay Siliconix
    FET 类型N 沟道
    技术MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss)150V
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)26A(Tc)
    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)8V,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250µA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)43nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1735pF @ 50V
    Vgs(最大值)±20V
    FET 功能-
    功率耗散(最大值)5.2W(Ta),64W(Tc)
    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)45 毫欧 @ 5A,10V
    工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型表面贴装
    供应商器件封装PowerPAK® SO-8
    封装/外壳PowerPAK® SO-8

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  • DK

    型号SI7430DP-T1-E3
    品牌Vishay Siliconix
    FET 类型N 沟道
    技术MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss)150V
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)26A(Tc)
    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)8V,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250µA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)43nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1735pF @ 50V
    Vgs(最大值)±20V
    FET 功能-
    功率耗散(最大值)5.2W(Ta),64W(Tc)
    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)45 毫欧 @ 5A,10V
    工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型表面贴装
    供应商器件封装PowerPAK® SO-8
    封装/外壳PowerPAK® SO-8

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  • DK

    型号SI7430DP-T1-E3
    品牌Vishay Siliconix
    FET 类型N 沟道
    技术MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss)150V
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)26A(Tc)
    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)8V,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250µA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)43nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1735pF @ 50V
    Vgs(最大值)±20V
    FET 功能-
    功率耗散(最大值)5.2W(Ta),64W(Tc)
    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)45 毫欧 @ 5A,10V
    工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型表面贴装
    供应商器件封装PowerPAK® SO-8
    封装/外壳PowerPAK® SO-8

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  • MS

    型号:SI7430DP-T1-E3
    品牌:Vishay Semiconductors
    RoHS:RoHS不可用
    商标:Vishay Semiconductors
    Id-连续漏极电流:7.2 A
    Vds-漏源极击穿电压:150 V
    Rds On-漏源导通电阻:45 mOhms
    晶体管极性:N-Channel
    Vgs-栅源极击穿电压 :20 V
    最大工作温度:+ 150 C
    Pd-功率耗散:5.2 W
    安装风格:SMD/SMT
    封装 / 箱体:PowerPAK SO-8
    封装:Reel
    通道模式:Enhancement
    配置:Single
    下降时间:6 ns, 7 ns
    最小工作温度:- 55 C
    上升时间:12 ns
    系列:SI74xxDx
    工厂包装数量:3000
    典型关闭延迟时间:22 ns, 20 ns
    零件号别名:SI7430DP-E3

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