SI7414DN-T1-GE3

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FT SI7414DN-T1-GE3 VISHAY - 购买 2.96 2.962.962.962.962.962.962.962.962.96
EM SI7414DN-T1-GE3 VISHAY SILICONIX - 购买 8.81 ---------
DK SI7414DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 6000 购买 3.547 3.54723.54723.54723.54723.54723.54723.54723.54723.5472
DK SI7414DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 8853 购买 8.63 3.91463.91463.91463.91463.91463.91463.91463.91463.9146
DK SI7414DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 8853 购买 8.63 3.91463.91463.91463.91463.91463.91463.91463.91463.9146
MS SI7414DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors 3,403 购买 9.28 3.753.753.753.753.753.753.753.753.75

产品说明SI7414DN-T1-GE3

  • FT

    Si7414DN Series N-Channel 60 V 0.025 Ohms SMT Power Mosfet - PowerPAK 1212-8

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  • EM

    场效应管, MOSFET, N, POWERPAK

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  • DK

    MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8

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  • DK

    MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8

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  • DK

    MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8

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  • MS

    MOSFET 60V 8.7A 3.8W 25mohm @ 10V

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产品参数SI7414DN-T1-GE3

  • FT

    Channel Type:N-Channel
    Drain-to-Source Voltage [Vdss]:60 V
    Drain-Source On Resistance-Max:25 mΩ
    Qg Gate Charge:25 nC
    Rated Power Dissipation:1.5 W

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  • EM

    型号:SI7414DN-T1-GE3
    品牌:VISHAY SILICONIX
    RoHS:符合RoHS
    电流, Id 连续:5.6A
    漏源电压, Vds:60V
    MSL:MSL 1 -无限制
    针脚数:8
    在电阻RDS(上):0.021ohm
    工作温度最高值:150°C
    功耗 Pd:1.5W
    电压 @ Rds测量:10V
    SVHC(高度关注物质):No SVHC (16-Jun-2014)
    阈值电压 Vgs:3V
    晶体管封装类型:PowerPAK SO
    晶体管极性:N沟道

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  • DK

    型号SI7414DN-T1-GE3
    品牌Vishay Siliconix
    FET 类型N 沟道
    技术MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss)60V
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)5.6A(Ta)
    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)25nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)-
    Vgs(最大值)±20V
    FET 功能-
    功率耗散(最大值)1.5W(Ta)
    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)25 毫欧 @ 8.7A,10V
    工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型表面贴装
    供应商器件封装PowerPAK® 1212-8
    封装/外壳PowerPAK® 1212-8

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  • DK

    型号SI7414DN-T1-GE3
    品牌Vishay Siliconix
    FET 类型N 沟道
    技术MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss)60V
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)5.6A(Ta)
    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)25nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)-
    Vgs(最大值)±20V
    FET 功能-
    功率耗散(最大值)1.5W(Ta)
    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)25 毫欧 @ 8.7A,10V
    工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型表面贴装
    供应商器件封装PowerPAK® 1212-8
    封装/外壳PowerPAK® 1212-8

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  • DK

    型号SI7414DN-T1-GE3
    品牌Vishay Siliconix
    FET 类型N 沟道
    技术MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss)60V
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)5.6A(Ta)
    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)25nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)-
    Vgs(最大值)±20V
    FET 功能-
    功率耗散(最大值)1.5W(Ta)
    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)25 毫欧 @ 8.7A,10V
    工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型表面贴装
    供应商器件封装PowerPAK® 1212-8
    封装/外壳PowerPAK® 1212-8

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  • MS

    型号:SI7414DN-T1-GE3
    品牌:Vishay Semiconductors
    RoHS:符合RoHS
    商标:Vishay Semiconductors
    Id-连续漏极电流:5.6 A
    Vds-漏源极击穿电压:60 V
    Rds On-漏源导通电阻:25 mOhms
    晶体管极性:N-Channel
    Vgs-栅源极击穿电压 :20 V
    最大工作温度:+ 150 C
    Pd-功率耗散:1.5 W
    安装风格:SMD/SMT
    封装 / 箱体:PowerPAK 1212-8
    封装:Reel
    通道模式:Enhancement
    配置:Single
    下降时间:12 ns
    最小工作温度:- 55 C
    上升时间:12 ns
    系列:SI74xxDx
    工厂包装数量:3000
    商标名:TrenchFET/PowerPAK
    典型关闭延迟时间:30 ns
    零件号别名:SI7414DN-GE3

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