SI7413DN-T1-E3

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FT SI7413DN-T1-E3 VISHAY - 购买 3.76 3.763.763.763.763.763.763.763.763.76
EM SI7413DN-T1-E3 VISHAY SILICONIX 2237 购买 8.6 ---------
DK SI7413DN-T1-E3 Vishay Siliconix - 购买 - ---------
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MS SI7413DN-T1-E3 Vishay / Siliconix 2,838 购买 9.48 3.13.13.13.13.13.13.13.13.1

产品说明SI7413DN-T1-E3

  • FT

    Si7413DN Series P-Channel 20 V 0.015 Ohms SMT Power Mosfet - PowerPAK 1212-8

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  • EM

    场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -8.4A, POWERPAK 1212

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  • DK

    MOSFET P-CH 20V 8.4A 1212-8

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  • DK

    MOSFET P-CH 20V 8.4A 1212-8

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  • DK

    MOSFET P-CH 20V 8.4A 1212-8

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  • MS

    MOSFET 20V 13.2A 3.8W

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产品参数SI7413DN-T1-E3

  • FT

    Channel Type:P-Channel
    Drain-to-Source Voltage [Vdss]:20 V
    Drain-Source On Resistance-Max:0.015 Ω
    Qg Gate Charge:34 nC
    Rated Power Dissipation:1.5 W

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  • EM

    型号:SI7413DN-T1-E3
    品牌:VISHAY SILICONIX
    RoHS:符合RoHS
    电流, Id 连续:-8.4A
    漏源电压, Vds:-20V
    MSL:MSL 1 -无限制
    针脚数:8
    在电阻RDS(上):0.023ohm
    工作温度最高值:150°C
    功耗 Pd:1.5W
    电压 @ Rds测量:-1.8V
    SVHC(高度关注物质):No SVHC (16-Jun-2014)
    阈值电压 Vgs:-1V
    晶体管封装类型:PowerPAK 1212
    晶体管极性:P沟道

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  • DK

    型号SI7413DN-T1-E3
    品牌Vishay Siliconix
    FET 类型P 沟道
    技术MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss)20V
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)8.4A(Ta)
    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 400µA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)51nC @ 4.5V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)-
    Vgs(最大值)±8V
    FET 功能-
    功率耗散(最大值)1.5W(Ta)
    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)15 毫欧 @ 13.2A,4.5V
    工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型表面贴装
    供应商器件封装PowerPAK® 1212-8
    封装/外壳PowerPAK® 1212-8

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  • DK

    型号SI7413DN-T1-E3
    品牌Vishay Siliconix
    FET 类型P 沟道
    技术MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss)20V
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)8.4A(Ta)
    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 400µA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)51nC @ 4.5V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)-
    Vgs(最大值)±8V
    FET 功能-
    功率耗散(最大值)1.5W(Ta)
    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)15 毫欧 @ 13.2A,4.5V
    工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型表面贴装
    供应商器件封装PowerPAK® 1212-8
    封装/外壳PowerPAK® 1212-8

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  • DK

    型号SI7413DN-T1-E3
    品牌Vishay Siliconix
    FET 类型P 沟道
    技术MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss)20V
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)8.4A(Ta)
    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 400µA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)51nC @ 4.5V
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)-
    Vgs(最大值)±8V
    FET 功能-
    功率耗散(最大值)1.5W(Ta)
    不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)15 毫欧 @ 13.2A,4.5V
    工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型表面贴装
    供应商器件封装PowerPAK® 1212-8
    封装/外壳PowerPAK® 1212-8

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  • MS

    型号:SI7413DN-T1-E3
    品牌:Vishay / Siliconix
    RoHS:RoHS不可用
    商标:Vishay / Siliconix
    Id-连续漏极电流:8.4 A
    Vds-漏源极击穿电压:- 20 V
    Rds On-漏源导通电阻:15 mOhms
    晶体管极性:P-Channel
    Vgs-栅源极击穿电压 :8 V
    最大工作温度:+ 150 C
    Pd-功率耗散:1.5 W
    安装风格:SMD/SMT
    封装 / 箱体:PowerPAK 1212-8
    封装:Reel
    通道模式:Enhancement
    配置:Single
    下降时间:50 ns
    最小工作温度:- 55 C
    上升时间:50 ns
    系列:SI74xxDx
    工厂包装数量:3000
    商标名:TrenchFET/PowerPAK
    典型关闭延迟时间:200 ns
    零件号别名:SI7413DN-E3

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