FZT855TA

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分销商 库存型号 品牌 库存数量 购买 货币 1 102025501005001,0005,00010,000
FT FZT855TA DIODES INCORPORATED 307 购买 2.65 2.552.552.552.552.552.552.552.552.55
EM FZT855TA DIODES INC. 107 购买 6.58 ---------
DK FZT855TA Diodes Incorporated 1000 购买 2.8684 2.86842.86842.86842.86842.86842.86842.86842.44772.4477
DK FZT855TA Diodes Incorporated 1591 购买 6.519 3.74233.74233.74233.74233.74233.74233.74233.74233.7423
MS FZT855TA Diodes Incorporated 8,152 购买 6.58 ---------

产品说明FZT855TA

  • FT

    FZT855 系列 NPN 5 A 150 V 表面贴装 硅 高性能 晶体管 - SOT-223

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  • EM

    晶体管, NPN, 150V, 0.4A, SOT-223

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  • DK

    TRANS NPN 150V 5A SOT-223

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  • DK

    TRANS NPN 150V 5A SOT-223

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  • MS

    两极晶体管 - BJT NPN High Current

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产品参数FZT855TA

  • FT

    Polarity:NPN
    Power Dissipation-Tot:3 W
    CE Voltage-Max:150 V
    Collector Current @ 100C:5 A
    The FZT855TA is an NPN silicon planar high current transistor with a continuous collector current of 5 A, available in surface mount SOT-223 package.
    • Up to 5 Amps continuous collector current, up to 10 Amp peak
    • Very low saturation voltage
    • Excellent hFE specified up to 10 Amps

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  • EM

    型号:FZT855TA
    品牌:DIODES INC.
    RoHS:符合RoHS
    集电极发射电压, Vceo:180V
    集电极直流电流:5A
    直流电流增益, hFE:200
    MSL:MSL 1 -无限制
    针脚数:3
    工作温度最高值:150°C
    功耗 Pd:3W
    SVHC(高度关注物质):No SVHC (17-Dec-2014)
    晶体管封装类型:SOT-223
    过渡频率, ft:90MHz

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  • DK

    型号FZT855TA
    品牌Diodes Incorporated
    晶体管类型NPN
    Current - Collector (Ic) (Max)5A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)150V
    不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)355mV @ 500mA,5A
    电流 - 集电极截止(最大值)50nA(ICBO)
    不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)100 @ 1A,5V
    Power - Max3W
    频率 - 跃迁90MHz
    工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型表面贴装
    封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
    供应商器件封装SOT-223

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  • DK

    型号FZT855TA
    品牌Diodes Incorporated
    晶体管类型NPN
    Current - Collector (Ic) (Max)5A
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)150V
    不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)355mV @ 500mA,5A
    电流 - 集电极截止(最大值)50nA(ICBO)
    不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)100 @ 1A,5V
    Power - Max3W
    频率 - 跃迁90MHz
    工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
    安装类型表面贴装
    封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
    供应商器件封装SOT-223

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  • MS

    型号:FZT855TA
    品牌:Diodes Incorporated
    RoHS:符合RoHS
    商标:Diodes Incorporated
    配置:Single
    晶体管极性:NPN
    集电极—基极电压 VCBO:250 V
    集电极—发射极最大电压 VCEO:150 V
    发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
    最大直流电集电极电流:5 A
    增益带宽产品fT:90 MHz
    最大工作温度:+ 150 C
    安装风格:SMD/SMT
    封装 / 箱体:SOT-223
    直流集电极/Base Gain hfe Min:100 at 10 mA at 5 V, 100 at 1 A at 5 V, 15 at 5 A at 5 V
    直流电流增益 hFE 最大值:100
    最大功率耗散:3 W
    最小工作温度:- 55 C
    封装:Reel
    系列:FZT855
    工厂包装数量:1000

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SI7409ADN-T1-GE3 DCP020505U SI7413DN-T1-E3 LM317S SI7414DN-T1-GE3 LTC3026EDD#PBF SI7415DN-T1-GE3 LM78L12ACZ... LP38853S-ADJ SI7421DN-T1-GE3 SI9120DY-T1-E3.. LT3090MPMSE#PBF LTC3115IFE-1#PBF SI7423DN LTC3560ES6#TRMPBF SI7430DP-T1-E3 TPS62140RGTT SI7431DP-T1-E3 TL497ACD.. SI7434DP-T1-GE3 UC2854N SI7430DP-T1-GE3 AP1086DG-13 BD9G101G-TR SI7431DP-T1-GE3 DCP010505BP-U LD39015M33R SI7445DP-T1-GE3 LF50ABDT-TR LM1117DT-2.5/NOPB